Receptor de luz com desvio 818-BB
Os detectores fotoeletrônicos de viés da série 818-BB são ferramentas de diagnóstico econômicas adequadas para uma ampla gama de aplicações de alta velocidade, como visualização de sinais de laser Q, bloqueio ou modulação rápida e alinhamento de laser de picossegundos.
Versões de silício, silício ultravioleta, GaAs e InGaAs
Tempo de subida até 35 ps
O detector de amplificação oferece ganhos de até 26 dB
Opções de acoplamento de fibra óptica facilitam o alinhamento
Comparação |
Modelo |
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818-BB-21Detector fotoelétrico de sobretensão, 300-1100 nm, silício, 1,2 GHz
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818-BB-27Detector fotoelétrico de sobretensão, 200-1100nm, silício, 200 MHz
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818-BB-30Detector fotoelétrico de sobretensão, 1000-1600nm, InGaAs, 2 GHz
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818-BB-31Detector fotoelétrico de sobretensão, 1000-1600nm, InGaAs, 1,5 GHz, jack de entrada FC
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818-BB-35Detector fotoelétrico de sobretensão, 1000-1650nm, InGaAs, 12,5 GHz
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818-BB-36Detector fotoelétrico de sobretensão, 1475–2100 nm, InGaAs expandidos, 12,5 GHz
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818-BB-36FDetector fotoelétrico de sobretensão, 1475-2100 nm, InGaAs expandidos, 12,5 GHz, FC/UPC
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818-BB-40Detector fotoelétrico de sobretensão, 300-1100nm, silício, 25 MHz
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818-BB-45Detector fotoelétrico de sobretensão, 400-900nm, GaAs, 12,5 GHz
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818-BB-45AFDetector fotoelétrico de sobretensão amplificado, acoplamento AC, 400-900nm, GaAs, 9 GHz, FC/UPC
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Especificações do produto
Silicon Photodetectors
Modelo |
![]() 818-BB-21 |
![]() 818-BB-27 |
![]() 818-BB-40 |
Materiais do detector |
Silicon |
UV Enhanced Silicon |
Silicon |
Tensão de desvio / desvio |
9 V |
24 V |
24 V |
Tipo de detector |
PIN |
PIN |
PIN |
Diâmetro do detector |
0.4 mm |
2.55 mm |
4.57 mm |
Ángulo de recepção |
10° |
50° |
60° |
Intervalo de comprimento de onda |
300-1100 nm |
200-1100 nm |
350-1100 nm |
3 dB largura de banda |
|||
Tempo de subida |
<300 ps |
3ns |
<30 ns |
Resposta |
0.47 A/W @ 830 nm |
0.56 A/W @ 830 nm |
0.6 A/W @ 830 nm |
Conector de saída |
BNC |
BNC |
BNC |
NEP |
<0.01 pW/√Hz |
<0.1 pW/√Hz |
<0.09 pW/√Hz |
Corrente saturada |
3 mA |
2.5 mA |
2 mA |
Capacitante de ligação |
<1.5 pF |
<25 pF |
<45 pF |
Tensão de ruptura inversa |
20 V |
150 V |
50 V |
Tipo de rosca |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
GaAs and InGaAs Photodetectors
Modelo |
![]() 818-BB-30 |
![]() 818-BB-31 |
![]() 818-BB-35 |
![]() 818-BB-45 |
![]() 818-BB-51 |
Materiais do detector |
InGaAs |
InGaAs |
InGaAs |
GaAs |
Extended InGaAs |
Tensão de desvio / desvio |
6 V |
6 V |
6 V |
3 V |
3 V |
Tipo de detector |
PIN |
PIN |
PIN |
PIN |
PIN |
Diâmetro do detector |
0.1 mm |
0.1 mm |
0.032 mm |
0.040 mm |
|
Ángulo de recepção |
20° |
20° |
30° |
15° |
20° |
Intervalo de comprimento de onda |
1000-1600 nm |
1000-1600 nm |
1000-1650 nm |
500-890 nm |
830-2150 nm |
3 dB largura de banda |
DC to 2 GHz |
DC to 2 GHz |
DC to 15 GHz |
DC to 12.5 GHz |
DC to 10 GHz |
Tempo de subida |
175 ps |
175 ps |
25 ps |
30 ps |
28 ps |
Resposta |
0.8 A/W @ 1300 nm |
0.9 A/W @ 1300 nm |
0.88 A/W @ 1550 nm |
0.53 A/W @ 830 nm |
1.3 A/W @ 2.0 µm |
Conector de saída |
BNC |
BNC |
SMA |
SMA |
SMA |
NEP |
<0.1 pW/√Hz |
0.1 pW/√Hz |
<0.04 pW/√Hz |
<0.02 pW/√Hz at 830 nm |
<0.44 pW/√Hz @ 2000 nm |
Corrente saturada |
5 mA |
10 mA |
10 mA |
10 mA |
|
Capacitante de ligação |
<0.75 pF |
<1.25 pF |
<0.12 pF |
<0.3 pF |
|
Tensão de ruptura inversa |
25 V |
25 V |
25 V |
30 V |
|
Tipo de rosca |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
8-32 and M4 |
Características
Versão de silício e roxoFortalecimento de silício externoVersão
818-BB-20、 Os -21 e -40 são compostos por detectores de silício de espaço livre, área pequena e área grande com intervalos de tempo de ascensão entre 300 ps e 1,5 ns. Além do 818-BB-40, cada dispositivo inclui uma fonte de alimentação de viés incorporada, composta por uma bateria de lítio de 3 V padrão e uma saída de conector BNC de 50 ohms. A bateria pode ser facilmente substituída e, quando não estiver em uso, desconectar o detector da entrada do osciloscópio pode prolongar a vida útil da bateria. O 818-BB-40 vem com uma fonte de alimentação externa de 24 VDC. 818-BB-27pela melhoriaA composição do detector de silício com resposta ultravioleta é, portanto, ideal para Nd: YAG, Nd: YLF ou outros lasers de vidro de paládio com quatro harmônicos e lasers quasi-moleculares. Além disso, sua ampla área eficaz e seu rápido tempo de resposta o tornam um detector de viés universal na faixa de 200 a 1100 nm. Para obter uma resposta rápida, este detector vem com uma fonte de alimentação externa de 24 VDC.
UV-Enhanced Silicon Free Space Detector
The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.
InGaAs Free Space Detectors
The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.
Versões GaAs e InGaAs
818-BB-30、 Os -31, -35, -45 e -51 são compostos por detectores GaAs ou InGaAs de espaço livre, pequenas e grandes áreas com intervalos de tempo de aumento entre 300 ps e 1,5 ns. Cada dispositivo inclui uma fonte de alimentação de viés incorporada, composta por uma bateria de lítio de 3 V padrão e uma saída de conector BNC de 50 ohms. A bateria pode ser facilmente substituída e, quando não estiver em uso, desconectar o detector da entrada do osciloscópio pode prolongar a vida útil da bateria.
Instalação óptica
Os orifícios roscados de 8 a 32 localizados na parte inferior do receptor óptico de desvio 818-BB podem ser usados para a instalação de barras ópticas.
Cuidado com a proteção ESD
Estes detectores são extremamente vulneráveis a danos causados pela liberação eletrostática (ESD). Ao desembalar e operar esses dispositivos, use medidas de proteção ESD, como o FK-STRAP.
Tempo de subida até 25 ps
Os módulos 818-BB-35 e 818-BB-45 fornecem soluções de baixo custo para medições ultrarápidas de largura de banda de 12,5 GHz. Estes detectores são adequados para aplicações em que a análise de saída Q e laser ultra-rápida requer um tempo de elevação do detector de <25 ps (<30 ps para o 818-BB-45). Estes detectores também usam baterias de lítio de 3 V (fornecidas).